Форм-фактор: 2280, емкость: 250 ГБ, скорость чтения/записи: 3500 МБ/с / 2300 МБ/с, интерфейсы: PCI-E, разъем: M.2, тип PCI-E: PCI-E 3.0 x4, объем буфера: 512 МБ, тип флэш-памяти: V-NAND 3-bit MLC, контроллер: Samsung Phoenix, время наработки на отказ: 1500000 ч, рекомен...