0 0
Санкт-Петербург

    GoodRAM M1AA-0640R11 в Санкт-Петербурге

    Фильтр
    Цена
    от до
    Очистить
    Производитель
    Очистить
    Тип: DDR3, объем одного модуля: 4 ГБ, объем одного модуля (точно): 4 ГБ, тактовая частота: 1600 МГц, форм-фактор: DIMM, количество модулей в комплекте: 1, CL: 11
    Оперативная память GoodRAM 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 GR1600D364L11S/4G
    в карточку товара
    Тип: DDR3L, объем одного модуля: 16 ГБ, объем одного модуля (точно): 16 ГБ, тактовая частота: 1600 МГц, форм-фактор: DIMM, количество модулей в комплекте: 1, CL: 11, особенности: радиатор, ECC, буферизованная (Registered)
    Оперативная память GoodRAM 16 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 W-MEM1600R3D416GLV
    в карточку товара
    Интерфейс: USB 3.2 Gen 1, разъем: USB Type-A, скорость записи данных: 20 МБ/с, скорость чтения данных: 60 МБ/с
    Флешка GoodRAM UMM3
    в карточку товара
    MicroSDHC / microSDXC, 8-128 ГБ, 60 МБ/с, Class 10, UHS Class 1, Подключение по USB — нет
    Карта памяти GoodRAM M1AA*0R11
    в карточку товара
    Тип: DDR4, объем одного модуля: 8 ГБ, объем одного модуля (точно): 8 ГБ, тактовая частота: 2666 МГц, форм-фактор: DIMM, количество модулей в комплекте: 2, CL: 16, особенности: радиатор, игровая
    Оперативная память GoodRAM IRDM X 16 ГБ (8 ГБ x 2 шт.) DDR4 2666 МГц DIMM CL16 IR-X2666D464L16S/16GDC
    в карточку товара
    Тип: DDR3, объем одного модуля: 8 ГБ, объем одного модуля (точно): 8 ГБ, тактовая частота: 1600 МГц, форм-фактор: DIMM, количество модулей в комплекте: 1, CL: 11, особенности: игровая
    Оперативная память GoodRAM 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 GR1600D364L11/8G
    в карточку товара
    Тип: DDR3, объем одного модуля: 2 ГБ, объем одного модуля (точно): 2 ГБ, тактовая частота: 1600 МГц, форм-фактор: DIMM, количество модулей в комплекте: 1, CL: 11
    Оперативная память GoodRAM 2 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 GR1600D364L11/2G
    в карточку товара
    Тип: DDR4, объем одного модуля: 8 ГБ, объем одного модуля (точно): 8 ГБ, тактовая частота: 3200 МГц, форм-фактор: DIMM, количество модулей в комплекте: 2, CL: 16, особенности: радиатор, игровая
    Оперативная память GoodRAM 16 ГБ (8 ГБ x 2 шт.) DDR4 3200 МГц DIMM CL16 X3200D464L16S/16GDC
    в карточку товара
    Тип: DDR4, объем одного модуля: 4 ГБ, объем одного модуля (точно): 4 ГБ, тактовая частота: 3200 МГц, форм-фактор: DIMM, количество модулей в комплекте: 2, CL: 16, особенности: радиатор, XMP, игровая
    Оперативная память GoodRAM IRDM X 8 ГБ (4 ГБ x 2 шт.) DDR4 3200 МГц DIMM CL16 IR-X3200D464L16S/8GDC
    в карточку товара
    Тип: DDR3, объем одного модуля: 8 ГБ, объем одного модуля (точно): 8 ГБ, тактовая частота: 1600 МГц, форм-фактор: DIMM, количество модулей в комплекте: 1, CL: 11, особенности: ECC, буферизованная (Registered)
    Оперативная память 8 GB 1 шт. GoodRAM W-MEM1600R3D48GLV
    в карточку товара
    Тип: DDR4, объем одного модуля: 16 ГБ, объем одного модуля (точно): 16 ГБ, тактовая частота: 3600 МГц, форм-фактор: DIMM, количество модулей в комплекте: 1, CL: 18, особенности: радиатор, игровая
    Оперативная память GoodRAM IRDM PRO 16GB DDR4 3600MHz DIMM 288pin CL18 IRP-K3600D4V64L18/16G
    в карточку товара
    Тип: DDR4, объем одного модуля: 8 ГБ, объем одного модуля (точно): 8 ГБ, тактовая частота: 3600 МГц, форм-фактор: DIMM, количество модулей в комплекте: 2, CL: 18, особенности: радиатор, игровая
    Оперативная память GoodRAM IRDM PRO 16GB (8GBx2) DDR4 3600MHz DIMM 288pin CL18 IRP-K3600D4V64L18S/16GDC
    в карточку товара
    Тип: DDR4, объем одного модуля: 16 ГБ, объем одного модуля (точно): 16 ГБ, тактовая частота: 3600 МГц, форм-фактор: DIMM, количество модулей в комплекте: 2, CL: 18, особенности: радиатор, игровая
    Оперативная память GoodRAM IRDM PRO 32 ГБ (16 ГБ x 2 шт.) DDR4 3600 МГц DIMM CL18 IRP-K3600D4V64L18/32GDC
    в карточку товара
    Емкость: 1024 ГБ, форм-фактор: 2.5", назначение: для ноутбука и настольного компьютера, игровой, разъем: SATA, интерфейсы: SATA 6Gb/s, скорость чтения: 555 МБ/с, скорость записи: 535 МБ/с, игровой, тип флэш-памяти: TLC 3D NAND, время наработки на отказ: 1500000 ч
    Твердотельный накопитель GoodRAM 1 ТБ SATA IRP-SSDPR-S25C-01T
    в карточку товара
    Распаковка второй планки RAM на 8Gb от компании GoodRam
    Распаковка второй планки ram на 8gb от компании goodram
    USB flash-накопитель GoodRAM
    Usb flash-накопитель goodram
    GoodRAM SSD IRDM обзор накопителя
    Goodram ssd irdm обзор накопителя
    Емкость: 256 ГБ, форм-фактор: 2280, назначение: для ноутбука и настольного компьютера, разъем: M.2, интерфейсы: PCI-E, линейка: IRDM, скорость чтения: 3000 МБ/с, скорость записи: 1000 МБ/с, тип флэш-памяти: TLC 3D NAND, время наработки на отказ: 1800000 ч
    Твердотельный накопитель GoodRAM IRDM 256 ГБ M.2 IR-SSDPR-P34B-256-80
    в карточку товара
    SSD M.2 накопитель Goodram IRDM [IR-SSDPR-P34B-01T-80] оптимизирован для установки в игровые ПК и требовательные системы. Он подключается посредством интерфейса PCI-E 3.x x4 и размещается в слоте M.2 на материнской плате, поэтому характеризуется широкой совместимостью....
    Твердотельный накопитель GoodRAM 1 ТБ M.2 IR-SSDPR-P34B-01T-80
    в карточку товара
    SSD M.2 накопитель Goodram IRDM [IR-SSDPR-P34B-01T-80] оптимизирован для установки в игровые ПК и требовательные системы. Он подключается посредством интерфейса PCI-E 3.x x4 и размещается в слоте M.2 на материнской плате, поэтому характеризуется широкой совместимостью....
    Твердотельный накопитель GoodRAM 1000 ГБ M.2 IR-SSDPR-P34B-01T-80
    в карточку товара
    Емкость: 256 ГБ, форм-фактор: 2280, назначение: для ноутбука и настольного компьютера, разъем: M.2, интерфейсы: PCI-E, линейка: IRDM, скорость чтения: 3000 МБ/с, скорость записи: 1000 МБ/с, тип флэш-памяти: TLC 3D NAND, время наработки на отказ: 1800000 ч
    SSD жесткий диск M.2 2280 256GB IR-SSDPR-P34B-256-80 GOODRAM
    в карточку товара
    Обеспечивая ветыре раза более высокую производительность для последовательной и случайной передачи данных по сравнению с SSD с интерфейсом SATA III и отличаясь уменьшенным временем задержки при обращении к памяти по сравнению с дисками, изготовленными по стандарту AHCI,...
    Накопитель SSD GoodRam 1TB (SSDPR-PX500-01T-80)
    в карточку товара
    SSD для персональных компьютеров Объем: 512 Гб, Формат: M.2 Type 2280 M Key M.2 PCI-E Gen3 x4 На базе чипов: 3D TLC (Triple Level Cell) Поддержка TRIM
    Твердотельный накопитель GoodRAM 512 ГБ M.2 IR-SSDPR-P34B-512-80
    в карточку товара
    Емкость: 512 ГБ, форм-фактор: 2280, назначение: для ноутбука и настольного компьютера, разъем: M.2, интерфейсы: PCI-E, скорость чтения: 3200 МБ/с, скорость записи: 2000 МБ/с, тип флэш-памяти: TLC 3D NAND, время наработки на отказ: 1800000 ч
    Твердотельный накопитель GOODRAM IRDM M.2 512GB IR-SSDPR-P34B-512-80
    в карточку товара
    SSD для персональных компьютеров Объем: 1000 Гб, Формат: M.2 Type 2280 M Key M.2 PCI-E Gen3 x4 На базе чипов: TLC (Triple Level Cell) Поддержка TRIM
    Твердотельный накопитель GoodRAM 1 ТБ M.2 SSDPR-PX500-01T-80
    в карточку товара
    Express доставка
    Внутренний SSD, M.2, 1024 Гб, PCI-E x4, чтение: 2050 Мб/сек, запись: 1650 Мб/сек, TLC форм-фактор: M.2 2280 емкость: 1 ТБ скорость чтения/записи: 2050 МБ/с / 1650 МБ/с разъем: M.2 тип PCI-E: PCI-E 3.0 x4 тип флэш-памяти: TLC 3D NAND контроллер: Silicon Motion SM2263XT...
    Твердотельный накопитель GoodRAM 1 ТБ M.2 SSDPR-PX500-01T-80
    в карточку товара
    Обеспечивая ветыре раза более высокую производительность для последовательной и случайной передачи данных по сравнению с SSD с интерфейсом SATA III и отличаясь уменьшенным временем задержки при обращении к памяти по сравнению с дисками, изготовленными по стандарту AHCI,...
    Твердотельный накопитель GoodRAM 1 ТБ M.2 SSDPR-PX500-01T-80
    в карточку товара
    1146₽x4 в сплит
    Накопитель SSD M.2 Goodram 512GB PX500 форм-фактор: 2280, M емкость: 512 ГБ скорость чтения/записи: 2000 МБ/с / 1600 МБ/с интерфейсы: PCI-E разъем: M.2 тип PCI-E: PCI-E 3.0 x4 тип флэш-памяти: TLC 3D NAND контроллер: Silicon Motion SM2263XT время наработки на отказ: 20...
    Твердотельный накопитель GoodRAM 512 ГБ M.2 SSDPR-PX500-512-80
    в карточку товара
    Форм-фактор: M.2 2280, емкость: 512 ГБ, назначение: для настольного компьютера, игровой, для ноутбука, разъем: M.2, интерфейсы: PCI-E, скорость чтения: 2000 МБ/с, скорость записи: 1600 МБ/с, тип флэш-памяти: TLC 3D NAND, время наработки на отказ: 1500000 ч
    Твердотельный накопитель GoodRAM 512 ГБ M.2 SSDPR-PX500-512-80
    в карточку товара
    Express доставка
    20975₽x4 в сплит
    Тип: внутренний; Объем (ГБ): 4000; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 4.0 4x; Контроллер: Phison E18; NVMe; Внешняя скорость записи (МБ/с): 6850; Внешняя скорость считывания (МБ/с): 7000; DWPD (раз/день) форм-фактор: 2280, M емкость: 4 ТБ скорость чтения/записи: 70...
    GoodRAM IRDM PRO 4 ТБ M.2 IRP-SSDPR-P44A-4K0-80
    в карточку товара
    9822₽x4 в сплит
    Тип: внутренний; Объем (ГБ): 2000; Форм-фактор: M.2; Интерфейс M.2: PCI-E 4.0 4x; Контроллер: Phison E18; NVMe; Внешняя скорость записи (МБ/с): 6850; Внешняя скорость считывания (МБ/с): 7000; DWPD (раз/день) форм-фактор: 2280, M емкость: 2 ТБ скорость чтения/записи: 70...
    GoodRAM IRDM PRO 2 ТБ M.2 IRP-SSDPR-P44A-2K0-80
    в карточку товара
    В категории GoodRAM M1AA-0640R11 в наличии 10017 товаров из 50 магазинов по цене от 250 руб. до 12790 руб. с доставкой в Санкт-Петербурге.